Semi-conducteurs. Page 145 sur 485. Avtronic

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Triacs et diacs

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: FGL60N100BNTD à FMLG02S (Page 145 sur 485)

Transistor FGL60N100BNTD

19.43€ TTC

Actuellement en rupture de stock

N-IGBT+D 1000V 60A/200Ap 180W (42A) Vce(sat)1.5V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FGL60N100BNTD. Jelzés a tokon: G60N100BNTD. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 3L. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 1000 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 42 A. Ic(puls): 200 A

Tarifs dégressifs

Transistor FGY75N60SMD

26.66€ TTC

Actuellement en rupture de stock

N-IGBT+D 600V 150A/225Ap 428W Vce(sat)1.9V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: Powwer TO-247D03. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 150 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 750 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VGE(th)max.: 6,5 V.

Tarifs dégressifs

Transistor FJAF6810

37.18€ TTC

12 En stock

Transistor NPN FJAF6810 1500/750V 10A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3PF (J6810). High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. VEBO: 6V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V. Puissance: 60 W

Tarifs dégressifs

Transistor FJAF6810A

8.29€ TTC

774 En stock

Transistor NPN FJAF6810A 1500/750V 10A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3PF (J6810A). High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. VEBO: 6V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V. Puissance: 60 W

Tarifs dégressifs

Transistor FJAF6810D

9.91€ TTC

142 En stock

Transistor NPN FJAF6810D. SI-N+DR 1500/750V 10A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3PF (J6810D). High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. Rbe: 35R VEBO: 6V. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée

Tarifs dégressifs

Transistor FJAF6812

10.75€ TTC

70 En stock

Transistor NPN FJAF6812 1500/750V 12A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. Boîtier: TO-3PF. High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. VEBO: 6V. VCE(sat) 3V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V. Puissance: 60 W

Tarifs dégressifs

Transistor FJL4215-O

9.18€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 230V. Courant collecteur maxi: 15A. Boîtier: TO-264. HI-FI. Gain Hfe: 80-160. Paire: FJL4315-O. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 150W.

Tarifs dégressifs

Transistor FJL4315-O

9.18€ TTC

1 En stock

Transistor NPN FJL4315-O 230V 15A 150W 30MHz HI-FI. Vce maxi: 230 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Boîtier: TO-264. NF/E HI-FI. hFE: 80-160. Constructeur: Fairchild. Paire: FJL4215-O. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 150 W

Tarifs dégressifs

Transistor FJL6920

17.53€ TTC

37 En stock

Transistor NPN FJL6920 1700/800V 20A 200W 0.15uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 20 A. Boîtier: TO-264. Vce(sat) 3Vmax. Monitor 19. Constructeur: FAI. VEBO: 6V. Tension collecteur/base maxi: 1700 V. Puissance: 200 W

Tarifs dégressifs

Transistor FJN3302R

1.74€ TTC

20 En stock

Transistor NPN FJN3302R. SI-N+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=10K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Ft: 250MHz. Cob: 3.7pF. Constructeur: Fairchild. SAMSUNG 0504-000117. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Tarifs dégressifs

Transistor FJP13007

4.70€ TTC

60 En stock

Transistor NPN 700/400V 8A/16Ap 80W 4MHz hFE:8-60. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Marquage boîtier: J13007. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 400V. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Consommation 8A. Puissance: 100W. Ic(puls): 16A. FT: 4MHz. Tf(max): 0.7 uS. VCE(sat): 1V. HFE(min):

Tarifs dégressifs

Transistor FJP13007H1

3.81€ TTC

143 En stock

Transistor NPN 700/400V 8A/16Ap 80W 4MHz hFE:15-28. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FJP13007H1TU. Marquage boîtier: J13007-1. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 400V. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Consommation 8A. Puissance: 100W. Ic(puls): 16A. FT: 4MHz. Tf(ma

Tarifs dégressifs

Transistor FJP13007H2

4.54€ TTC

68 En stock

Transistor NPN 700/400V 8A/16Ap 80W 4MHz hFE:26-39. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FJP13007H2TU. Marquage boîtier: J13007-2. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 400V. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Consommation 8A. Puissance: 100W. Ic(puls): 16A. FT: 4MHz. Tf(ma

Tarifs dégressifs

Transistor FJP13009

5.04€ TTC

53 En stock

Transistor NPN FJP13009 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Tension collecteur/base maxi: 700 V

Tarifs dégressifs

Transistor FJP13009H2

3.70€ TTC

51 En stock

Transistor NPN FJP13009H2 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Hfe:15-25. Tension collecteur/base maxi: 700 V

Tarifs dégressifs

Triac FKPF5N80TU

9.97€ TTC

9 En stock

Triac 800V. Courant maxi: 5A. Courant de commande: 20/30mA. Boîtier: TO-220F

Tarifs dégressifs

Circuit intégré FLC10-200H

13.22€ TTC

65 En stock

Circuit intégré FLC10-200H. FIRE LIGHTER CIRCUIT. ITRM: 240A. Constructeur: ST Microelectronics. Boîtier: I-PAK. Plage de température de fonctionnement: -30°C à +120°C. ITRM: 240A (tp=10ms)

Tarifs dégressifs

Diode FMB24L

5.15€ TTC

267 En stock

Double diode de redressement Schottky 40V. Courant maxi: 10A. Boîtier: TO220F. Trr: 100ns.

Tarifs dégressifs

Diode FMGG26S

6.33€ TTC

50 En stock

Diode silicium 600V 4A. Trr: 100ns. Boîtier TO-220-2.

Tarifs dégressifs

Diode FMGG2CS

8.06€ TTC

88 En stock

Diode silicium 1000V 3A. Trr: 100ns. Boîtier TO-220-2. SAMSUNG KS3A D802.

Tarifs dégressifs

Diode FMLG02S

11.82€ TTC

5 En stock

Diode silicium 200V 3A. Trr: 40ns. Boîtier TO-220F.

Tarifs dégressifs

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Transistor FGL60N100BNTD

Transistor FGY75N60SMD

Transistor FJAF6810

Transistor NPN FJAF6810 1500/750V 10A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3PF (J6810). High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. VEBO: 6V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V. Puissance: 60 W

Transistor FJAF6810A

Transistor NPN FJAF6810A 1500/750V 10A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3PF (J6810A). High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. VEBO: 6V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V. Puissance: 60 W

Transistor FJAF6810D

Transistor NPN FJAF6810D. SI-N+DR 1500/750V 10A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3PF (J6810D). High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. Rbe: 35R VEBO: 6V. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée

Transistor FJAF6812

Transistor NPN FJAF6812 1500/750V 12A 60W 0.1..0.2uS. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. Boîtier: TO-3PF. High-Sw. 0.1uS (Monitor HA). Constructeur: FAI. VEBO: 6V. VCE(sat) 3V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V. Puissance: 60 W

Transistor FJL4215-O

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 230V. Courant collecteur maxi: 15A. Boîtier: TO-264. HI-FI. Gain Hfe: 80-160. Paire: FJL4315-O. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 150W.

Transistor FJL4315-O

Transistor NPN FJL4315-O 230V 15A 150W 30MHz HI-FI. Vce maxi: 230 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Boîtier: TO-264. NF/E HI-FI. hFE: 80-160. Constructeur: Fairchild. Paire: FJL4215-O. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 150 W

Transistor FJL6920

Transistor NPN FJL6920 1700/800V 20A 200W 0.15uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 20 A. Boîtier: TO-264. Vce(sat) 3Vmax. Monitor 19. Constructeur: FAI. VEBO: 6V. Tension collecteur/base maxi: 1700 V. Puissance: 200 W

Transistor FJN3302R

Transistor NPN FJN3302R. SI-N+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=10K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Ft: 250MHz. Cob: 3.7pF. Constructeur: Fairchild. SAMSUNG 0504-000117. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Transistor FJP13007

Transistor FJP13007H1

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Transistor FJP13009

Transistor NPN FJP13009 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Tension collecteur/base maxi: 700 V

Transistor FJP13009H2

Transistor NPN FJP13009H2 700/400V 12A/24App 100W 1.1uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. High Voltage Fast-Switching. High-Sw 1.1uS. Constructeur: FAI. TO-220. VEBO: 9V. Hfe:15-25. Tension collecteur/base maxi: 700 V

Triac FKPF5N80TU

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Circuit intégré FLC10-200H

Circuit intégré FLC10-200H. FIRE LIGHTER CIRCUIT. ITRM: 240A. Constructeur: ST Microelectronics. Boîtier: I-PAK. Plage de température de fonctionnement: -30°C à +120°C. ITRM: 240A (tp=10ms)

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